Na quarta-feira, dia 4, a Intel anunciou um avanço científico e uma inovação histórica nos microchips: os primeiros transistores 3-D do mundo, chamados Tri-Gate, que serão adotados na tecnologia de produção de 22 nm dos próximos processadores da empresa da família “Ivy Bridge”.
Mas porque será que a Intel está tão animada com a nova tecnologia? Leiam o texto que foi enviado no “release” da empresa:
“Os transistores 3-D Tri-Gate representam a reinvenção do transistor. A porta bidimensional tradicionalmente “plana” é substituída por um silício tridimensional em forma de quilha, incrivelmente fino que sobe verticalmente desde o substrato do silício. O controle da corrente é feito por meio da inclusão de uma porta em cada um dos três lados – uma em cada lado e uma em cima – ao invés de apenas uma em cima, como acontece com os transistores planos 2-D. Esse controle adicional possibilita que o fluxo da corrente no transistor seja o máximo possível quando o transistor estiver em estado ligado (para desempenho), e perto de zero quando ele estiver em estado desligado (para minimizar o consumo), além de possibilitar uma troca muito rápida entre os dois estados (para desempenho).
Da mesma forma que os arranha céus permitem que os arquitetos urbanos otimizem o espaço disponível ao construir para cima, a estrutura do transistor 3-D Tri-Gate da Intel fornece uma maneira para gerenciar a densidade. Como essas quilhas são tridimensionais por natureza, os transistores também podem ser usados mais perto uns dos outros, um componente fundamental para a obtenção dos benefícios de economia da Lei de Moore. Para as futuras gerações, os projetistas também poderão continuar a ampliar o tamanho das quilhas para obter ainda mais ganhos de desempenho e eficiência no consumo de energia.”
O vídeo abaixo (em inglês, mas fácil de entender) explica melhor o conceito apresentado:
Realmente, a ideia é bastante simples e eficiente. Muitos poderão perguntar: Por que ninguém inventou isso antes? Na verdade, a Intel já havia apresentado o conceito de “Tri-Gate” em 2002. A grande novidade é que eles conseguiram finalmente implementar a tecnologia! Quem acha que demorou muito tempo, não tem ideia de como é difícil trabalhar com microeletrônica! Para criar o 3D Tri-Gate foi necessário reinventar o processo de fabricação, pois os componentes dos minúsculos transistores saíram do plano (área) para uma estrutura em volume.
Particularmente, não acho que tenha sido uma “reinvenção do transistor”, pois ele ainda vai funcionar da mesma maneira, ou seja, como um “interruptor” que define os “zeros” e “uns” do computador. Mas não há como negar que a evolução no processo de fabricação foi enorme! A Intel já sabia que um dia não seria mais possível diminuir o processo. Fabricar em 22 nm (1 nanômetro = 0,000000001 metro) já é extraordinário, mas o limite físico está se aproximando rapidamente. Com a tecnologia 3D Tri-Gate podemos aproximar mais os transistores, aumentando a densidade. Além disso, ao usarmos três portas temos um maior controle no transistor, diminuindo o consumo elétrico.
E tamanho e consumo menores é tudo que a Intel quer neste momento, pois, apesar do mercado de PCs ainda estar bastante saudável, não há dúvida que o grande mercado para os processadores da empresa no médio e longo prazo será o de celulares e gadgets inteligentes (leia-se iPad). Atualmente a Intel não tem presença significativa neste segmento. O único produto que a companhia tem no momento é o Atom, que não foi feito para celular/gadget. Utilizando a nova tecnologia e fazendo algumas modificações de arquitetura no Atom a empresa poderá ter um produto “matador” em pouco tempo. Aliás, é bom que ela corra logo, senão vai “perder o bonde” para a nVidia!
